ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
«Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов»
Цель работы:
Исследование устройства, принцип действия, систему обозначений полупроводниковых диодов.
Снятие и анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода, стабилитрона и тиристора; определение их параметров по характеристикам.
Эксперимент 1 – Изучение параметров модели диода
Цели:
Изучить основные параметры диода, используя справочную литературу;
Сравнить справочные данные с данными модели;
Исходные данные:
Марка диода;
Результаты эксперимента
Наименование |
Описание |
Параметр |
Единицы |
По умолчанию |
IS |
Ток насыщения |
9.94e-06 |
A |
0 |
RS |
Паразитное сопротивление |
0.00653 |
Ω |
0 |
N |
Коэффициент инжекции |
2 |
0 |
|
TT |
Время переноса заряда |
7.237e-07 |
sec |
0 |
CJO |
Барьерная емкость при нулевом смещении |
4.528e-10 |
F |
0 |
VJ |
Контактная разность потенциалов переходов |
0.5189 |
V |
0 |
M |
Коэффициент плавности перехода |
0.4269 |
0 |
|
EG |
Энергетический барьер |
1.11 |
eV |
0 |
XTI |
Температурный показатель тока насыщения |
3 |
0 |
|
KF |
Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликер-шума |
0 |
0 |
|
AF |
Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликер-шума |
1 |
0 |
|
FC |
Коэффициент емкости эмиттерного перехода при прямом смещении |
0.5 |
0 |
|
BV |
Обратное напряжение пробоя |
100 |
V |
0 |
IBV |
Обратный ток пробоя |
0.0001 |
A |
0 |
IBVL |
Начальный обратный ток пробоя |
1.0 |
A |
1 |
IKF |
Предельный ток при высоком уровне инжекции |
1e30 |
A |
1 |
ISR |
Параметр тока рекомбинации |
0.0 |
A |
1 |
NBV |
Коэффициент неидеальности на участке пробоя |
1.0 |
1 |
|
NBVL |
Коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого уровня |
1.0 |
1 |
|
NR |
Коэффициент эмиссии ISR |
2.0 |
1 |
|
TBV1 |
Линейный температурный коэффициент емкости BV |
0.0 |
1/°C |
1 |
TBV2 |
Квадратичный температурный коэффициент емкости BV |
0.0 |
1/°C² |
1 |
TIKF |
Линейный температурный коэффициент емкости IKF |
0.0 |
1/°C |
1 |
TRS1 |
Линейный температурный коэффициент емкости RS |
0.0 |
1/°C |
1 |
TRS2 |
Квадратичный температурный коэффициент емкости RS |
0.0 |
1/°C² |
1 |
TNOM |
Температура транзистора |
27 |
°C |
0 |
T_MEASURED |
Температура транзистора |
27 |
°C |
1 |
T_ABS |
Рабочая температура |
27 |
°C |
1 |
T_REL_GLOBAL |
Изменить относительную температуру на общую |
0 |
°C |
1 |
Эксперимент 2 – Изучение вольт-амперной характеристики диода
Примерное время выполнения: 30 минут
Цели:
Получить ВАХ диода;
Измерить статическое и дифференциальное сопротивление диода в указанных точках.
Исходные данные:
Марка диода;
Прямое напряжение для расчета сопротивления;
Величина сопротивления ограничительного резистора;
